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IRF1018ESPBF
- Modello di prodotti:
- IRF1018ESPBF
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 60V 79A D2PAK
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 19182 Pieces
- Scheda dati:
- IRF1018ESPBF.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per IRF1018ESPBF, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per IRF1018ESPBF via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 100µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | D2PAK |
| Serie: | HEXFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 8.4 mOhm @ 47A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 110W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Altri nomi: | SP001561450 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | IRF1018ESPBF |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 2290pF @ 50V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 69nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 60V 79A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D2PAK |
| Tensione drain-source (Vdss): | 60V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 60V 79A D2PAK |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 79A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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