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IRF1010EPBF
- Modello di prodotti:
- IRF1010EPBF
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 60V 84A TO-220AB
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 18590 Pieces
- Scheda dati:
- IRF1010EPBF.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per IRF1010EPBF, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per IRF1010EPBF via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-220AB |
| Serie: | HEXFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 12 mOhm @ 50A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 200W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-220-3 |
| Altri nomi: | *IRF1010EPBF SP001569818 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 14 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | IRF1010EPBF |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 3210pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 130nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 60V 84A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220AB |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 60V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 60V 84A TO-220AB |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 84A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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