IRF1010EZPBF
IRF1010EZPBF
Modello di prodotti:
IRF1010EZPBF
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET N-CH 60V 75A TO-220AB
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
14797 Pieces
Scheda dati:
IRF1010EZPBF.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4V @ 100µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-220AB
Serie:HEXFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:8.5 mOhm @ 51A, 10V
Dissipazione di potenza (max):140W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-220-3
Altri nomi:*IRF1010EZPBF
SP001571244
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:14 Weeks
codice articolo del costruttore:IRF1010EZPBF
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:2810pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:86nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 60V 75A (Tc) 140W (Tc) Through Hole TO-220AB
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):60V
Descrizione:MOSFET N-CH 60V 75A TO-220AB
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:75A (Tc)
Email:[email protected]

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