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IRF1010NSTRL
- Modello di prodotti:
- IRF1010NSTRL
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Contiene piombo / RoHS non conforme
- quantità disponibile:
- 13707 Pieces
- Scheda dati:
- IRF1010NSTRL.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per IRF1010NSTRL, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per IRF1010NSTRL via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | D2PAK |
| Serie: | HEXFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 11 mOhm @ 43A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 180W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | IRF1010NSTRL |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 3210pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 120nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 55V 85A (Tc) 180W (Tc) Surface Mount D2PAK |
| Tensione drain-source (Vdss): | 55V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 85A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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