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IRF1010ZLPBF
- Modello di prodotti:
- IRF1010ZLPBF
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 55V 75A TO-262
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 17905 Pieces
- Scheda dati:
- IRF1010ZLPBF.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per IRF1010ZLPBF, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per IRF1010ZLPBF via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-262 |
| Serie: | HEXFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 7.5 mOhm @ 75A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 140W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Altri nomi: | *IRF1010ZLPBF SP001550878 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | IRF1010ZLPBF |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 2840pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 95nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 55V 75A (Tc) 140W (Tc) Through Hole TO-262 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 55V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 55V 75A TO-262 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 75A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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