IRF1010Z
IRF1010Z
Modello di prodotti:
IRF1010Z
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Contiene piombo / RoHS non conforme
quantità disponibile:
18498 Pieces
Scheda dati:
IRF1010Z.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-220AB
Serie:HEXFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:7.5 mOhm @ 75A, 10V
Dissipazione di potenza (max):140W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-220-3
Altri nomi:*IRF1010Z
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:IRF1010Z
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:2840pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:95nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 55V 75A (Tc) 140W (Tc) Through Hole TO-220AB
Tensione drain-source (Vdss):55V
Descrizione:MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:75A (Tc)
Email:[email protected]

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