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SSM3J16CT(TPL3)
- Modello di prodotti:
- SSM3J16CT(TPL3)
- fabbricante:
- Toshiba Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET P-CH 20V 0.1A CST3
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 12380 Pieces
- Scheda dati:
- SSM3J16CT(TPL3).pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 1.1V @ 100µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±10V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | CST3 |
| Serie: | π-MOSVI |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 8 Ohm @ 10mA, 4V |
| Dissipazione di potenza (max): | 100mW (Ta) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | SC-101, SOT-883 |
| Altri nomi: | SSM3J16CT(TPL3)TR SSM3J16CTTPL3 |
| temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | SSM3J16CT(TPL3) |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 11pF @ 3V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | - |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | P-Channel 20V 100mA (Ta) 100mW (Ta) Surface Mount CST3 |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 1.5V, 4V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 20V |
| Descrizione: | MOSFET P-CH 20V 0.1A CST3 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 100mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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