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SSM3J35MFV,L3F
- Modello di prodotti:
- SSM3J35MFV,L3F
- fabbricante:
- Toshiba Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET P-CH 20V 0.1A VESM
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 13877 Pieces
- Scheda dati:
- SSM3J35MFV,L3F.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | - |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | VESM |
| Serie: | π-MOSVI |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 8 Ohm @ 50mA, 4V |
| Dissipazione di potenza (max): | 150mW (Ta) |
| imballaggio: | Original-Reel® |
| Contenitore / involucro: | SOT-723 |
| Altri nomi: | SSM3J35MFV(TL3T)DKR SSM3J35MFV(TL3T)DKR-ND SSM3J35MFVL3FDKR |
| temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | SSM3J35MFV,L3F |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 12.2pF @ 3V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | - |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | P-Channel 20V 100mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount VESM |
| Tensione drain-source (Vdss): | 20V |
| Descrizione: | MOSFET P-CH 20V 0.1A VESM |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 100mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per SSM3J35MFV,L3F
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