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SSM3J307T(TE85L,F)
- Modello di prodotti:
- SSM3J307T(TE85L,F)
- fabbricante:
- Toshiba Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET P-CH 20V 5A TSM
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 19740 Pieces
- Scheda dati:
- 1.SSM3J307T(TE85L,F).pdf2.SSM3J307T(TE85L,F).pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 1V @ 1mA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TSM |
| Serie: | U-MOSV |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 31 mOhm @ 4A, 4.5V |
| Dissipazione di potenza (max): | 700mW (Ta) |
| imballaggio: | Cut Tape (CT) |
| Contenitore / involucro: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Altri nomi: | SSM3J307T(TE85LF)CT |
| temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | SSM3J307T(TE85L,F) |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 1170pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 19nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | P-Channel 20V 5A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount TSM |
| Tensione drain-source (Vdss): | 20V |
| Descrizione: | MOSFET P-CH 20V 5A TSM |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 5A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per SSM3J307T(TE85L,F)
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