SSM3J35CTC,L3F
SSM3J35CTC,L3F
Modello di prodotti:
SSM3J35CTC,L3F
fabbricante:
Toshiba Semiconductor
Descrizione:
MOSFET P-CH 20V 0.25A CST3C
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
19352 Pieces
Scheda dati:
SSM3J35CTC,L3F.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:1V @ 100µA
Vgs (Max):±10V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:CST3C
Serie:U-MOSVII
Rds On (max) a Id, Vgs:1.4 Ohm @ 150mA, 4.5V
Dissipazione di potenza (max):500mW (Ta)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:SC-101, SOT-883
Altri nomi:SSM3J35CTC,L3F(B
SSM3J35CTC,L3F(T
SSM3J35CTCL3F
SSM3J35CTCL3FTR
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:10 Weeks
codice articolo del costruttore:SSM3J35CTC,L3F
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:42pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:-
Tipo FET:P-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:P-Channel 20V 250mA (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount CST3C
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):1.2V, 4.5V
Tensione drain-source (Vdss):20V
Descrizione:MOSFET P-CH 20V 0.25A CST3C
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:250mA (Ta)
Email:[email protected]

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