SSM3J15CT(TPL3)
SSM3J15CT(TPL3)
Modello di prodotti:
SSM3J15CT(TPL3)
fabbricante:
Toshiba Semiconductor
Descrizione:
MOSFET P-CH 30V 0.1A CST3
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
16761 Pieces
Scheda dati:
SSM3J15CT(TPL3).pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:-
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:CST3
Serie:π-MOSVI
Rds On (max) a Id, Vgs:12 Ohm @ 10mA, 4V
Dissipazione di potenza (max):100mW (Ta)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:SC-101, SOT-883
Altri nomi:SSM3J15CT(TPL3)TR
SSM3J15CTL3FTR
SSM3J15CTL3FTR-ND
SSM3J15CTTPL3
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:SSM3J15CT(TPL3)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:9.1pF @ 3V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:-
Tipo FET:P-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:P-Channel 30V 100mA (Ta) 100mW (Ta) Surface Mount CST3
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):2.5V, 4V
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione:MOSFET P-CH 30V 0.1A CST3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:100mA (Ta)
Email:[email protected]

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