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SSM3J130TU,LF
- Modello di prodotti:
- SSM3J130TU,LF
- fabbricante:
- Toshiba Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET P-CH 20V 4.4A UFM
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 17136 Pieces
- Scheda dati:
- 1.SSM3J130TU,LF.pdf2.SSM3J130TU,LF.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 1V @ 1mA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±8V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | UFM |
| Serie: | U-MOSVI |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 25.8 mOhm @ 4A, 4.5V |
| Dissipazione di potenza (max): | 500mW (Ta) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 3-SMD, Flat Leads |
| Altri nomi: | SM3J130TULFTR-ND SSM3J130TU (TE85L) SSM3J130TU(TE85L) SSM3J130TU(TE85L)TR SSM3J130TU(TE85L)TR-ND SSM3J130TU,LF(B SSM3J130TU,LF(T SSM3J130TULFTR SSM3J130TUTE85L |
| temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 12 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | SSM3J130TU,LF |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 1800pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 24.8nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | P-Channel 20V 4.4A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount UFM |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 1.5V, 4.5V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 20V |
| Descrizione: | MOSFET P-CH 20V 4.4A UFM |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 4.4A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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