TPCP8103-H(TE85LFM
TPCP8103-H(TE85LFM
Modello di prodotti:
TPCP8103-H(TE85LFM
fabbricante:
Toshiba Semiconductor
Descrizione:
MOSFET P-CH 40V 4.8A PS-8
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
18528 Pieces
Scheda dati:
1.TPCP8103-H(TE85LFM.pdf2.TPCP8103-H(TE85LFM.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2V @ 1mA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:PS-8
Serie:U-MOSIII-H
Rds On (max) a Id, Vgs:40 mOhm @ 2.4A, 10V
Dissipazione di potenza (max):840mW (Ta)
imballaggio:Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro:8-SMD, Flat Lead
Altri nomi:TPCP8103-H(TE85LFMCT
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:TPCP8103-H(TE85LFM
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:800pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:19nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:P-Channel 40V 4.8A (Ta) 840mW (Ta) Surface Mount PS-8
Tensione drain-source (Vdss):40V
Descrizione:MOSFET P-CH 40V 4.8A PS-8
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:4.8A (Ta)
Email:[email protected]

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