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WPB4002
- Modello di prodotti:
- WPB4002
- fabbricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 600V 23A TO3PB
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 12988 Pieces
- Scheda dati:
- WPB4002.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per WPB4002, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per WPB4002 via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | - |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-3PB |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 360 mOhm @ 11.5A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 2.5W (Ta), 220W (Tc) |
| imballaggio: | Tray |
| Contenitore / involucro: | TO-3P-3, SC-65-3 |
| temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | WPB4002 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 2200pF @ 30V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 84nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 600V 23A (Ta) 2.5W (Ta), 220W (Tc) Through Hole TO-3PB |
| Tensione drain-source (Vdss): | 600V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 600V 23A TO3PB |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 23A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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