IPB180N03S4L01ATMA1
IPB180N03S4L01ATMA1
Modello di prodotti:
IPB180N03S4L01ATMA1
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7-3
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
12375 Pieces
Scheda dati:
IPB180N03S4L01ATMA1.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2.2V @ 140µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:PG-TO263-7-3
Serie:OptiMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs:1.05 mOhm @ 100A, 10V
Dissipazione di potenza (max):188W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Altri nomi:IPB180N03S4L-01
IPB180N03S4L-01-ND
SP000555002
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:14 Weeks
codice articolo del costruttore:IPB180N03S4L01ATMA1
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:17600pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:239nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 30V 180A (Tc) 188W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-3
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione:MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7-3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:180A (Tc)
Email:[email protected]

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