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PMXB360ENEAZ
- Modello di prodotti:
- PMXB360ENEAZ
- fabbricante:
- Nexperia
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 80V 1.1A DFN1010D-3
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 19713 Pieces
- Scheda dati:
- PMXB360ENEAZ.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 2.7V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | DFN1010D-3 |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 450 mOhm @ 1.1A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 400mW (Ta), 6.25W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 3-XDFN Exposed Pad |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 13 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | PMXB360ENEAZ |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 130pF @ 40V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 4.5nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 80V 1.1A (Ta) 400mW (Ta), 6.25W (Tc) Surface Mount DFN1010D-3 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 80V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 80V 1.1A DFN1010D-3 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 1.1A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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