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SPB20N60C3
- Modello di prodotti:
- SPB20N60C3
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 650V 20.7A D2PAK
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 12234 Pieces
- Scheda dati:
- SPB20N60C3.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per SPB20N60C3, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per SPB20N60C3 via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 3.9V @ 1mA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | PG-TO263-3-2 |
| Serie: | CoolMOS™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 190 mOhm @ 13.1A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 208W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Altri nomi: | SP000013520 SPB20N60C3ATMA1 SPB20N60C3INTR SPB20N60C3XT SPB20N60C3XT-ND |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 8 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | SPB20N60C3 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 2400pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 114nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 650V 20.7A (Tc) 208W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2 |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 650V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 650V 20.7A D2PAK |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 20.7A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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