SPB20N60S5ATMA1
SPB20N60S5ATMA1
Modello di prodotti:
SPB20N60S5ATMA1
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET N-CH 600V 20A TO-263
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
17568 Pieces
Scheda dati:
SPB20N60S5ATMA1.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:5.5V @ 1mA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:PG-TO263-3-2
Serie:CoolMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs:190 mOhm @ 13A, 10V
Dissipazione di potenza (max):208W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Altri nomi:SPB20N60S5
SPB20N60S5-ND
SPB20N60S5INTR
SPB20N60S5INTR-ND
SPB20N60S5XT
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:SPB20N60S5ATMA1
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:3000pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:103nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 600V 20A (Tc) 208W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Tensione drain-source (Vdss):600V
Descrizione:MOSFET N-CH 600V 20A TO-263
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:20A (Tc)
Email:[email protected]

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