FDZ663P
FDZ663P
Modello di prodotti:
FDZ663P
fabbricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET P-CH 20V 2.7A 4-WLCSP
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
13919 Pieces
Scheda dati:
FDZ663P.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:1.2V @ 250µA
Vgs (Max):±8V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:4-WLCSP (0.80x0.80)
Serie:PowerTrench®
Rds On (max) a Id, Vgs:134 mOhm @ 2A, 4.5V
Dissipazione di potenza (max):1.3W (Ta)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:4-XFBGA, WLCSP
Altri nomi:FDZ663P-ND
FDZ663PTR
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:6 Weeks
codice articolo del costruttore:FDZ663P
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:525pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:8.2nC @ 4.5V
Tipo FET:P-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:P-Channel 20V 2.7A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount 4-WLCSP (0.80x0.80)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):1.5V, 4.5V
Tensione drain-source (Vdss):20V
Descrizione:MOSFET P-CH 20V 2.7A 4-WLCSP
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:2.7A (Ta)
Email:[email protected]

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