Acquistare IXFX260N17T con BYCHPS
Acquista con garanzia
IXFX260N17T
- Modello di prodotti:
- IXFX260N17T
- fabbricante:
- IXYS Corporation
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 170V 260A PLUS247
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 16871 Pieces
- Scheda dati:
- IXFX260N17T.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per IXFX260N17T, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per IXFX260N17T via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 5V @ 8mA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | PLUS247™-3 |
| Serie: | GigaMOS™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 6.5 mOhm @ 60A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 1670W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-247-3 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | IXFX260N17T |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 24000pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 400nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 170V 260A (Tc) 1670W (Tc) Through Hole PLUS247™-3 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 170V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 170V 260A PLUS247 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 260A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per IXFX260N17T
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
IXFX26N100P | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 26A PLUS247 | Inchiesta |
|
IXFX240N15T2 | IXYS | MOSFET N-CH 150V 240A PLUS247 | Inchiesta |
|
IXFX26N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 26A PLUS247 | Inchiesta |
|
IXFX24N100F | IXYS | MOSFET N-CH 1KV 24A PLUS247-3 | Inchiesta |
|
IXFX200N10P | IXYS | MOSFET N-CH 100V 200A PLUS247 | Inchiesta |
|
IXFX27N80Q | IXYS | MOSFET N-CH 800V 27A PLUS 247 | Inchiesta |
|
IXFX220N17T2 | IXYS | MOSFET N-CH 170V 220A PLUS247 | Inchiesta |
|
IXFX26N60Q | IXYS | MOSFET N-CH 600V 26A PLUS 247 | Inchiesta |
|
IXFX250N10P | IXYS | MOSFET N-CH 100V 250A PLUS247 | Inchiesta |
|
IXFX26N90 | IXYS | MOSFET N-CH 900V 26A PLUS 247 | Inchiesta |
|
IXFX24N100Q3 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 24A PLUS247 | Inchiesta |
|
IXFX20N120 | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 20A ISOPLUS247 | Inchiesta |
|
IXFX210N17T | IXYS | MOSFET N-CH 170V 210A PLUS247 | Inchiesta |
|
IXFX230N20T | IXYS | MOSFET N-CH 200V 230A PLUS247 | Inchiesta |
|
IXFX21N100F | IXYS | MOSFET N-CH 1KV 21A PLUS247-3 | Inchiesta |
|
IXFX20N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 20A PLUS247 | Inchiesta |
Latest Notizie
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog