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RQ1C065UNTR
- Modello di prodotti:
- RQ1C065UNTR
- fabbricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 20V 6.5A TSMT8
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 16485 Pieces
- Scheda dati:
- RQ1C065UNTR.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 1V @ 1mA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±10V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TSMT8 |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 22 mOhm @ 6.5A, 4.5V |
| Dissipazione di potenza (max): | 700mW (Ta) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 8-SMD, Flat Lead |
| Altri nomi: | RQ1C065UNTRTR RQ1C065UNTRTR-ND |
| temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 10 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | RQ1C065UNTR |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 870pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 11nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 20V 6.5A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount TSMT8 |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 1.5V, 4.5V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 20V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 20V 6.5A TSMT8 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 6.5A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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