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IPB160N04S3-H2
- Modello di prodotti:
- IPB160N04S3-H2
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 13845 Pieces
- Scheda dati:
- IPB160N04S3-H2.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 150µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | PG-TO263-7-3 |
| Serie: | OptiMOS™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 2.1 mOhm @ 80A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 214W (Tc) |
| imballaggio: | Cut Tape (CT) |
| Contenitore / involucro: | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB |
| Altri nomi: | IPB160N04S3-H2CT IPB160N04S3-H2CT-ND |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | IPB160N04S3-H2 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 9600pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 145nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 40V 160A (Tc) 214W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-3 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 40V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 160A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per IPB160N04S3-H2
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
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IPB160N04S2L03ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7 | Inchiesta |
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