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IXTC200N10T
- Modello di prodotti:
- IXTC200N10T
- fabbricante:
- IXYS Corporation
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 100V 101A ISOPLUS220
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 12640 Pieces
- Scheda dati:
- IXTC200N10T.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 4.5V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | ISOPLUS220™ |
| Serie: | TrenchMV™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 6.3 mOhm @ 50A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 160W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | ISOPLUS220™ |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | IXTC200N10T |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 9400pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 152nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 100V 101A (Tc) 160W (Tc) Through Hole ISOPLUS220™ |
| Tensione drain-source (Vdss): | 100V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 100V 101A ISOPLUS220 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 101A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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