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IPD053N06N3GBTMA1
- Modello di prodotti:
- IPD053N06N3GBTMA1
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 19149 Pieces
- Scheda dati:
- IPD053N06N3GBTMA1.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 58µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | PG-TO252-3 |
| Serie: | OptiMOS™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 5.3 mOhm @ 90A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 115W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Altri nomi: | IPD053N06N3 G IPD053N06N3 G-ND IPD053N06N3 GTR-ND SP000453318 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | IPD053N06N3GBTMA1 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 6600pF @ 30V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 82nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 60V 90A (Tc) 115W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 60V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 90A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per IPD053N06N3GBTMA1
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
IPD053N08N3GBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3 | Inchiesta |
|
IPD053N08N3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3 | Inchiesta |
 |
IXTT88N30P | IXYS | MOSFET N-CH 300V 88A TO-268 | Inchiesta |
 |
IPD050N03LGBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3 | Inchiesta |
 |
ZXMP6A16GTA | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH SOT223 | Inchiesta |
 |
SI4435DY | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC | Inchiesta |
 |
NVD5413NT4G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 30A DPAK | Inchiesta |
|
IPD05N03LB G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 90A DPAK | Inchiesta |
 |
IRF1010NSTRRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK | Inchiesta |
|
IPD053N06NATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 18A TO252-3 | Inchiesta |
|
IPD050N03LGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3 | Inchiesta |
|
IPD05N03LA G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 50A DPAK | Inchiesta |
 |
IXTF230N085T | IXYS | MOSFET N-CH 85V 130A ISOPLUS I4 | Inchiesta |
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