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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > IXTY02N50D
IXTY02N50D
Modello di prodotti:
IXTY02N50D
fabbricante:
IXYS Corporation
Descrizione:
MOSFET N-CH 500V 0.2A DPAK
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
12318 Pieces
Scheda dati:
IXTY02N50D.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:-
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-252, (D-Pak)
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:30 Ohm @ 50mA, 0V
Dissipazione di potenza (max):1.1W (Ta), 25W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:8 Weeks
codice articolo del costruttore:IXTY02N50D
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:120pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:-
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:Depletion Mode
Descrizione espansione:N-Channel 500V 200mA (Tc) 1.1W (Ta), 25W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):-
Tensione drain-source (Vdss):500V
Descrizione:MOSFET N-CH 500V 0.2A DPAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:200mA (Tc)
Email:[email protected]

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