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PMXB65UPEZ
- Modello di prodotti:
- PMXB65UPEZ
- fabbricante:
- Nexperia
- Descrizione:
- MOSFET P-CH 12V 3.2A DFN1010D-3G
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 16942 Pieces
- Scheda dati:
- PMXB65UPEZ.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 1V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±8V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | DFN1010D-3 |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 72 mOhm @ 3.2A, 4.5V |
| Dissipazione di potenza (max): | 317mW (Ta), 8.33W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 3-XDFN Exposed Pad |
| Altri nomi: | 1727-2177-2 568-12342-2 568-12342-2-ND 934067151147 PMXB65UPE,147 PMXB65UPEZ-ND |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 6 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | PMXB65UPEZ |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 634pF @ 6V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 12nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | P-Channel 12V 3.2A (Ta) 317mW (Ta), 8.33W (Tc) Surface Mount DFN1010D-3 |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 1.2V, 4.5V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 12V |
| Descrizione: | MOSFET P-CH 12V 3.2A DFN1010D-3G |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 3.2A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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