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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > IXTT1N250HV
IXTT1N250HV
IXTT1N250HV
Modello di prodotti:
IXTT1N250HV
fabbricante:
IXYS Corporation
Descrizione:
MOSFET N-CH 2500V 1.5A TO-268HV
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
15851 Pieces
Scheda dati:
IXTT1N250HV.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-268
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:40 Ohm @ 750mA, 10V
Dissipazione di potenza (max):250W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Altri nomi:628949
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:12 Weeks
codice articolo del costruttore:IXTT1N250HV
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1660pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:41nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 2500V (2.5kV) 1.5A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount TO-268
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):2500V (2.5kV)
Descrizione:MOSFET N-CH 2500V 1.5A TO-268HV
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:1.5A (Tc)
Email:[email protected]

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