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FQI16N25CTU
- Modello di prodotti:
- FQI16N25CTU
- fabbricante:
- Fairchild/ON Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 250V 15.6A I2PAK
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 16023 Pieces
- Scheda dati:
- FQI16N25CTU.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per FQI16N25CTU, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per FQI16N25CTU via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | I2PAK |
| Serie: | QFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 270 mOhm @ 7.8A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 3.13W (Ta), 139W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | FQI16N25CTU |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 1080pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 53.5nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 250V 15.6A (Tc) 3.13W (Ta), 139W (Tc) Through Hole I2PAK |
| Tensione drain-source (Vdss): | 250V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 250V 15.6A I2PAK |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 15.6A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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