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FDI150N10
- Modello di prodotti:
- FDI150N10
- fabbricante:
- Fairchild/ON Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 100V 57A I2PAK
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 13217 Pieces
- Scheda dati:
- FDI150N10.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per FDI150N10, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per FDI150N10 via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 4.5V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | I2PAK |
| Serie: | PowerTrench® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 16 mOhm @ 49A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 110W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 6 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | FDI150N10 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 4760pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 69nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 100V 57A (Tc) 110W (Tc) Through Hole I2PAK |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 100V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 100V 57A I2PAK |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 57A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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