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PD20010S-E
- Modello di prodotti:
- PD20010S-E
- fabbricante:
- ST
- Descrizione:
- TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 12520 Pieces
- Scheda dati:
- PD20010S-E.pdf
introduzione
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Specifiche
| Tensione - Prova: | 13.6V |
|---|---|
| Tensione - nominale: | 40V |
| Tipo transistor: | LDMOS |
| Contenitore dispositivo fornitore: | PowerSO-10RF (Straight Lead) |
| Serie: | - |
| Alimentazione - uscita: | 10W |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Straight Leads) |
| Altri nomi: | PD20010SE |
| Figura di rumore: | - |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 11 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | PD20010S-E |
| Guadagno: | 11dB |
| Frequenza: | 2GHz |
| Descrizione espansione: | RF Mosfet LDMOS 13.6V 150mA 2GHz 11dB 10W PowerSO-10RF (Straight Lead) |
| Descrizione: | TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF |
| Valutazione attuale: | 5A |
| Corrente - Test: | 150mA |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per PD20010S-E
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
PD20010STR-E | STMicroelectronics | TRANS N-CH 40V POWERSO-10RF STR | Inchiesta |
|
PD20015S-E | STMicroelectronics | TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF | Inchiesta |
 |
PD20010-E | STMicroelectronics | TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF | Inchiesta |
 |
BLL6H0514LS-130,11 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 100V 17DB SOT1135B | Inchiesta |
|
PD20010TR-E | STMicroelectronics | TRANS N-CH 40V POWERSO-10RF FORM | Inchiesta |
 |
MRF8S23120HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.3GHZ NI-780 | Inchiesta |
 |
NE3517S03-T1C-A | CEL | FET RF 4V 20GHZ S03 | Inchiesta |
 |
A2T26H165-24SR3 | NXP USA Inc. | IC TRANS RF LDMOS | Inchiesta |
 |
PD20015C | STMicroelectronics | FET RF 40V 2GHZ M243 | Inchiesta |
|
PD20015-E | STMicroelectronics | TRANS RF PWR N-CH POWERSO-10RF | Inchiesta |
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