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PD20015S-E
- Modello di prodotti:
- PD20015S-E
- fabbricante:
- ST
- Descrizione:
- TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 19428 Pieces
- Scheda dati:
- PD20015S-E.pdf
introduzione
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Specifiche
| Tensione - Prova: | 13.6V |
|---|---|
| Tensione - nominale: | 40V |
| Tipo transistor: | LDMOS |
| Contenitore dispositivo fornitore: | PowerSO-10RF (Straight Lead) |
| Serie: | - |
| Alimentazione - uscita: | 15W |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | PowerSO-10 Exposed Bottom Pad |
| Figura di rumore: | - |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 3 (168 Hours) |
| codice articolo del costruttore: | PD20015S-E |
| Guadagno: | 11dB |
| Frequenza: | 2GHz |
| Descrizione espansione: | RF Mosfet LDMOS 13.6V 350mA 2GHz 11dB 15W PowerSO-10RF (Straight Lead) |
| Descrizione: | TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF |
| Valutazione attuale: | 7A |
| Corrente - Test: | 350mA |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per PD20015S-E
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
PD20015C | STMicroelectronics | FET RF 40V 2GHZ M243 | Inchiesta |
 |
PXAC241702FCV1R0XTMA1 | Infineon Technologies | IC AMP RF LDMOS H-37248-4 | Inchiesta |
 |
PD20015-E | STMicroelectronics | TRANS RF PWR N-CH POWERSO-10RF | Inchiesta |
 |
MRF6S21060NBR1 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 2.12GHZ TO272-4 | Inchiesta |
 |
PD20010STR-E | STMicroelectronics | TRANS N-CH 40V POWERSO-10RF STR | Inchiesta |
|
PD20010-E | STMicroelectronics | TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF | Inchiesta |
 |
2N5952_J35Z | Fairchild/ON Semiconductor | JFET N-CH 30V 8MA TO92 | Inchiesta |
 |
MAGX-001214-500L00 | M/A-Com Technology Solutions | TRANSISTOR GAN 500W 1.2-1.4GHZ | Inchiesta |
|
PD20010S-E | STMicroelectronics | TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF | Inchiesta |
|
PD20010TR-E | STMicroelectronics | TRANS N-CH 40V POWERSO-10RF FORM | Inchiesta |
 |
ON5240,118 | NXP USA Inc. | MOSFET RF SOT426 D2PAK | Inchiesta |
 |
AFT09S200W02SR3 | NXP USA Inc. | TRANSISTOR RF LDMOS 4W PLD | Inchiesta |
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