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PD20015C
- Modello di prodotti:
- PD20015C
- fabbricante:
- ST
- Descrizione:
- FET RF 40V 2GHZ M243
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 18344 Pieces
- Scheda dati:
- PD20015C.pdf
introduzione
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Specifiche
| Tensione - Prova: | 13.6V |
|---|---|
| Tensione - nominale: | 40V |
| Tipo transistor: | LDMOS |
| Contenitore dispositivo fornitore: | M243 |
| Serie: | - |
| Alimentazione - uscita: | 15W |
| imballaggio: | Bulk |
| Contenitore / involucro: | M243 |
| Altri nomi: | 497-12509 PD20015C-ND |
| Figura di rumore: | - |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | PD20015C |
| Guadagno: | 11dB |
| Frequenza: | 2GHz |
| Descrizione espansione: | RF Mosfet LDMOS 13.6V 350mA 2GHz 11dB 15W M243 |
| Descrizione: | FET RF 40V 2GHZ M243 |
| Valutazione attuale: | 7A |
| Corrente - Test: | 350mA |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per PD20015C
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
PD20010STR-E | STMicroelectronics | TRANS N-CH 40V POWERSO-10RF STR | Inchiesta |
 |
PD55008-E | STMicroelectronics | FET RF 40V 500MHZ PWRSO10 | Inchiesta |
 |
PD20010-E | STMicroelectronics | TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF | Inchiesta |
|
PD20015-E | STMicroelectronics | TRANS RF PWR N-CH POWERSO-10RF | Inchiesta |
 |
PTFA261702E V1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 170W H-30275-4 | Inchiesta |
 |
MRF1K50HR5 | NXP USA Inc. | HIGH POWER RF TRANSISTOR | Inchiesta |
|
PD20015S-E | STMicroelectronics | TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF | Inchiesta |
|
PD84006-E | STMicroelectronics | FET RF 25V 870MHZ PWRSO-10RF | Inchiesta |
|
PD20010S-E | STMicroelectronics | TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF | Inchiesta |
 |
UF28150J | M/A-Com Technology Solutions | MOSFET 150W 28V 100-500MHZ | Inchiesta |
 |
RFM08U9X(TE12L,Q) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH PW-X | Inchiesta |
|
PD20010TR-E | STMicroelectronics | TRANS N-CH 40V POWERSO-10RF FORM | Inchiesta |
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