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NE3517S03-T1C-A
- Modello di prodotti:
- NE3517S03-T1C-A
- fabbricante:
- CEL (California Eastern Laboratories)
- Descrizione:
- FET RF 4V 20GHZ S03
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 15656 Pieces
- Scheda dati:
- NE3517S03-T1C-A.pdf
introduzione
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Specifiche
| Tensione - Prova: | 2V |
|---|---|
| Tensione - nominale: | 4V |
| Tipo transistor: | HFET |
| Contenitore dispositivo fornitore: | S03 |
| Serie: | - |
| Alimentazione - uscita: | - |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 4-SMD, Flat Leads |
| Figura di rumore: | 0.7dB |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | NE3517S03-T1C-A |
| Guadagno: | 13.5dB |
| Frequenza: | 20GHz |
| Descrizione espansione: | RF Mosfet HFET 2V 10mA 20GHz 13.5dB S03 |
| Descrizione: | FET RF 4V 20GHZ S03 |
| Valutazione attuale: | 15mA |
| Corrente - Test: | 10mA |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per NE3517S03-T1C-A
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
NE3514S02-A | CEL | HJ-FET NCH 10DB S02 | Inchiesta |
 |
GTVA261701FAV1R0XTMA1 | Infineon Technologies | GAN SIC | Inchiesta |
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NE3512S02-T1C-A | CEL | HJ-FET NCH 13.5DB S02 | Inchiesta |
 |
NE3513M04-A | CEL | FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD | Inchiesta |
|
PTFB182503ELV1R0XTMA1 | Infineon Technologies | IC AMP RF LDMOS H-33288-6 | Inchiesta |
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PTFB192503ELV1R0XTMA1 | Infineon Technologies | IC AMP RF LDMOS H-33288-6 | Inchiesta |
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NE3511S02-A | CEL | HJ-FET NCH 13.5DB S02 | Inchiesta |
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NE3516S02-A | CEL | IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX | Inchiesta |
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NE3516S02-T1C-A | CEL | IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX | Inchiesta |
|
NE3513M04-T2-A | CEL | FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD | Inchiesta |
 |
AFT05MS031GNR1 | NXP USA Inc. | FET RF 40V 520MHZ TO270-2G | Inchiesta |
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NE3513M04-T2B-A | CEL | FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD | Inchiesta |
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NE3510M04-A | CEL | FET RF 4V 4GHZ M04 | Inchiesta |
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NE3510M04-T2-A | CEL | FET RF 4V 4GHZ M04 | Inchiesta |
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NE3515S02-A | CEL | FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02 | Inchiesta |
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NE3512S02-A | CEL | HJ-FET NCH 13.5DB S02 | Inchiesta |
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NE3515S02-T1C-A | CEL | FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02 | Inchiesta |
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NE3511S02-T1C-A | CEL | IC AMP RF LNA 13.5DB S02 | Inchiesta |
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NE3515S02-T1D-A | CEL | FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02 | Inchiesta |
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NE3514S02-T1C-A | CEL | HJ-FET NCH 10DB S02 | Inchiesta |
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