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PTFB192503ELV1R0XTMA1
- Modello di prodotti:
- PTFB192503ELV1R0XTMA1
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- IC AMP RF LDMOS H-33288-6
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 14529 Pieces
- Scheda dati:
- PTFB192503ELV1R0XTMA1.pdf
introduzione
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Specifiche
| Tensione - Prova: | 30V |
|---|---|
| Tensione - nominale: | 65V |
| Tipo transistor: | LDMOS |
| Contenitore dispositivo fornitore: | H-33288-6 |
| Serie: | - |
| Alimentazione - uscita: | 50W |
| imballaggio: | Cut Tape (CT) |
| Contenitore / involucro: | H-33288-6 |
| Altri nomi: | SP001413924 |
| Figura di rumore: | - |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 12 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | PTFB192503ELV1R0XTMA1 |
| Guadagno: | 19dB |
| Frequenza: | 1.99GHz |
| Descrizione espansione: | RF Mosfet LDMOS 30V 1.9A 1.99GHz 19dB 50W H-33288-6 |
| Descrizione: | IC AMP RF LDMOS H-33288-6 |
| Valutazione attuale: | - |
| Corrente - Test: | 1.9A |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per PTFB192503ELV1R0XTMA1
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
PTFB191501FV1XWSA1 | Infineon Technologies | FET RF LDMOS 150W H37248-2 | Inchiesta |
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PTFB192557SHV1XWSA1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS H-34288G-4/2 | Inchiesta |
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PTFB192557SHV1R250XTMA1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS H-34288G-4/2 | Inchiesta |
|
PTFB192503FLV2R0XTMA1 | Infineon Technologies | IC AMP RF LDMOS H-34288-4 | Inchiesta |
|
PTFB192503FLV2R250XTMA1 | Infineon Technologies | IC AMP RF LDMOS | Inchiesta |
|
PTFB192503ELV1R250XTMA1 | Infineon Technologies | IC AMP RF LDMOS | Inchiesta |
 |
PTFB191501EV1R250XTMA1 | Infineon Technologies | FET RF LDMOS 150W H36248-2 | Inchiesta |
|
PTFB193404FV1R250XTMA1 | Infineon Technologies | IC AMP RF LDMOS | Inchiesta |
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