Acquistare PTFB192557SHV1R250XTMA1 con BYCHPS
Acquista con garanzia
PTFB192557SHV1R250XTMA1
- Modello di prodotti:
- PTFB192557SHV1R250XTMA1
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- IC FET RF LDMOS H-34288G-4/2
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 16246 Pieces
- Scheda dati:
- PTFB192557SHV1R250XTMA1.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per PTFB192557SHV1R250XTMA1, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per PTFB192557SHV1R250XTMA1 via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Tensione - Prova: | 28V |
|---|---|
| Tensione - nominale: | 65V |
| Tipo transistor: | LDMOS |
| Contenitore dispositivo fornitore: | H-34288G-4/2 |
| Serie: | - |
| Alimentazione - uscita: | 60W |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | H-34288G-4/2 |
| Altri nomi: | SP001028954 |
| Figura di rumore: | - |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | PTFB192557SHV1R250XTMA1 |
| Guadagno: | 19dB |
| Frequenza: | 1.99GHz |
| Descrizione espansione: | RF Mosfet LDMOS 28V 1.35A 1.99GHz 19dB 60W H-34288G-4/2 |
| Descrizione: | IC FET RF LDMOS H-34288G-4/2 |
| Valutazione attuale: | - |
| Corrente - Test: | 1.35A |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per PTFB192557SHV1R250XTMA1
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
PTFB192503ELV1R0XTMA1 | Infineon Technologies | IC AMP RF LDMOS H-33288-6 | Inchiesta |
|
PTFB192557SHV1XWSA1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS H-34288G-4/2 | Inchiesta |
 |
PTFB191501FV1XWSA1 | Infineon Technologies | FET RF LDMOS 150W H37248-2 | Inchiesta |
|
PTFB192503ELV1R250XTMA1 | Infineon Technologies | IC AMP RF LDMOS | Inchiesta |
|
PTFB193404FV1R250XTMA1 | Infineon Technologies | IC AMP RF LDMOS | Inchiesta |
 |
PTFB191501EV1R250XTMA1 | Infineon Technologies | FET RF LDMOS 150W H36248-2 | Inchiesta |
|
PTFB192503FLV2R0XTMA1 | Infineon Technologies | IC AMP RF LDMOS H-34288-4 | Inchiesta |
|
PTFB192503FLV2R250XTMA1 | Infineon Technologies | IC AMP RF LDMOS | Inchiesta |
|
PTFB191501FV1R250XTMA1 | Infineon Technologies | FET RF LDMOS 150W H37248-2 | Inchiesta |
|
PTFB193404FV1R0XTMA1 | Infineon Technologies | IC AMP RF LDMOS H-37275-6 | Inchiesta |
|
PTFB193408SVV1R250XTMA1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS H-34275G-6/2 | Inchiesta |
Latest Notizie
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog