Acquistare NE3513M04-T2B-A con BYCHPS
Acquista con garanzia
NE3513M04-T2B-A
- Modello di prodotti:
- NE3513M04-T2B-A
- fabbricante:
- CEL (California Eastern Laboratories)
- Descrizione:
- FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 12423 Pieces
- Scheda dati:
- NE3513M04-T2B-A.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per NE3513M04-T2B-A, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per NE3513M04-T2B-A via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Tensione - Prova: | 2V |
|---|---|
| Tensione - nominale: | 4V |
| Tipo transistor: | N-Channel GaAs HJ-FET |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 4-Super Mini Mold |
| Serie: | - |
| Alimentazione - uscita: | 125mW |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 4-SMD, Flat Leads |
| Figura di rumore: | 0.65dB |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | NE3513M04-T2B-A |
| Guadagno: | 13dB |
| Frequenza: | 12GHz |
| Descrizione espansione: | RF Mosfet N-Channel GaAs HJ-FET 2V 10mA 12GHz 13dB 125mW 4-Super Mini Mold |
| Descrizione: | FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD |
| Valutazione attuale: | 60mA |
| Corrente - Test: | 10mA |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per NE3513M04-T2B-A
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
NE3511S02-T1C-A | CEL | IC AMP RF LNA 13.5DB S02 | Inchiesta |
 |
NE3510M04-A | CEL | FET RF 4V 4GHZ M04 | Inchiesta |
|
NE3513M04-A | CEL | FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD | Inchiesta |
|
NE3513M04-T2-A | CEL | FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD | Inchiesta |
|
NE3515S02-A | CEL | FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02 | Inchiesta |
|
NE3514S02-A | CEL | HJ-FET NCH 10DB S02 | Inchiesta |
 |
NE3515S02-T1D-A | CEL | FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02 | Inchiesta |
|
NE3511S02-A | CEL | HJ-FET NCH 13.5DB S02 | Inchiesta |
|
NE3514S02-T1C-A | CEL | HJ-FET NCH 10DB S02 | Inchiesta |
|
NE3516S02-T1C-A | CEL | IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX | Inchiesta |
|
NE3512S02-A | CEL | HJ-FET NCH 13.5DB S02 | Inchiesta |
|
NE3516S02-A | CEL | IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX | Inchiesta |
|
NE3512S02-T1C-A | CEL | HJ-FET NCH 13.5DB S02 | Inchiesta |
|
NE3517S03-T1C-A | CEL | FET RF 4V 20GHZ S03 | Inchiesta |
Latest Notizie
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog