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IRLR210ATM
- Modello di prodotti:
- IRLR210ATM
- fabbricante:
- Fairchild/ON Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 200V 2.7A DPAK
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 17512 Pieces
- Scheda dati:
- IRLR210ATM.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per IRLR210ATM, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per IRLR210ATM via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 2V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | D-Pak |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 1.5 Ohm @ 1.35A, 5V |
| Dissipazione di potenza (max): | 2.5W (Ta), 21W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | IRLR210ATM |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 240pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 9nC @ 5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 200V 2.7A (Tc) 2.5W (Ta), 21W (Tc) Surface Mount D-Pak |
| Tensione drain-source (Vdss): | 200V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 200V 2.7A DPAK |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 2.7A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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