Acquistare IRF7321D2 con BYCHPS
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		| Vgs (th) (max) a Id: | 1V @ 250µA | 
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) | 
| Contenitore dispositivo fornitore: | 8-SO | 
| Serie: | FETKY™ | 
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 62 mOhm @ 4.9A, 10V | 
| Dissipazione di potenza (max): | 2W (Ta) | 
| imballaggio: | Tube | 
| Contenitore / involucro: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 
| Altri nomi: | *IRF7321D2 | 
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) | 
| Tipo montaggio: | Surface Mount | 
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) | 
| codice articolo del costruttore: | IRF7321D2 | 
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 710pF @ 25V | 
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 34nC @ 10V | 
| Tipo FET: | P-Channel | 
| Caratteristica FET: | Schottky Diode (Isolated) | 
| Descrizione espansione: | P-Channel 30V 4.7A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SO | 
| Tensione drain-source (Vdss): | 30V | 
| Descrizione: | MOSFET P-CH 30V 4.7A 8-SOIC | 
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 4.7A (Ta) | 
| Email: | [email protected] |