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FDD8586
- Modello di prodotti:
- FDD8586
- fabbricante:
- Fairchild/ON Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 20V 35A DPAK
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 19493 Pieces
- Scheda dati:
- FDD8586.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per FDD8586, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per FDD8586 via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 2.5V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | D-PAK (TO-252AA) |
| Serie: | PowerTrench® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 5.5 mOhm @ 35A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 77W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Altri nomi: | FDD8586TR |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | FDD8586 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 2480pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 48nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 20V 35A (Tc) 77W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252AA) |
| Tensione drain-source (Vdss): | 20V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 20V 35A DPAK |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 35A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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