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NTB30N20T4G
- Modello di prodotti:
- NTB30N20T4G
- fabbricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 200V 30A D2PAK
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 18120 Pieces
- Scheda dati:
- NTB30N20T4G.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per NTB30N20T4G, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per NTB30N20T4G via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | D2PAK |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 81 mOhm @ 15A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 2W (Ta), 214W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Altri nomi: | NTB30N20T4GOS NTB30N20T4GOS-ND NTB30N20T4GOSTR |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | NTB30N20T4G |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 2335pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 100nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 200V 30A (Ta) 2W (Ta), 214W (Tc) Surface Mount D2PAK |
| Tensione drain-source (Vdss): | 200V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 200V 30A D2PAK |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 30A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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