IRFHM3911TRPBF
IRFHM3911TRPBF
Modello di prodotti:
IRFHM3911TRPBF
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET N-CH 100V 10A PQFN
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
14584 Pieces
Scheda dati:
IRFHM3911TRPBF.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4V @ 35µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:8-PQFN (3x3)
Serie:HEXFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:115 mOhm @ 6.3A, 10V
Dissipazione di potenza (max):2.8W (Ta), 29W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-PowerTDFN
Altri nomi:SP001575850
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:10 Weeks
codice articolo del costruttore:IRFHM3911TRPBF
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:760pF @ 50V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:26nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 100V 3.2A (Ta), 20A (Tc) 2.8W (Ta), 29W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (3x3)
Tensione drain-source (Vdss):100V
Descrizione:MOSFET N-CH 100V 10A PQFN
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:3.2A (Ta), 20A (Tc)
Email:[email protected]

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