Acquistare IRFHM8363TR2PBF con BYCHPS
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| Vgs (th) (max) a Id: | 2.35V @ 25µA |
|---|---|
| Contenitore dispositivo fornitore: | 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 |
| Serie: | HEXFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 14.9 mOhm @ 10A, 10V |
| Potenza - Max: | 2.7W |
| imballaggio: | Original-Reel® |
| Contenitore / involucro: | 8-PowerVDFN |
| Altri nomi: | IRFHM8363TR2PBFDKR |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | IRFHM8363TR2PBF |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 1165pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 15nC @ 10V |
| Tipo FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET: | Logic Level Gate |
| Descrizione espansione: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 11A 2.7W Surface Mount 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 30V |
| Descrizione: | MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 11A |
| Email: | [email protected] |