Acquistare IRFHM8329TRPBF con BYCHPS
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| Vgs (th) (max) a Id: | 2.2V @ 25µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | PQFN (3x3) |
| Serie: | HEXFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 6.1 mOhm @ 20A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 2.6W (Ta), 33W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 8-PowerTDFN |
| Altri nomi: | IRFHM8329TRPBFTR SP001566808 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | IRFHM8329TRPBF |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 1710pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 26nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 30V 16A (Ta), 57A (Tc) 2.6W (Ta), 33W (Tc) Surface Mount PQFN (3x3) |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 30V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 30V 16A PQFN |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 16A (Ta), 57A (Tc) |
| Email: | [email protected] |