IRFHM9331TR2PBF
IRFHM9331TR2PBF
Modello di prodotti:
IRFHM9331TR2PBF
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET P-CH 30V 11A 3X3 PQFN
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
12949 Pieces
Scheda dati:
IRFHM9331TR2PBF.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2.4V @ 25µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:PQFN (3x3)
Serie:HEXFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:10 mOhm @ 11A, 20V
Dissipazione di potenza (max):2.8W (Ta)
imballaggio:Original-Reel®
Contenitore / involucro:8-PowerTDFN
Altri nomi:IRFHM9331TR2PBFDKR
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:IRFHM9331TR2PBF
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1543pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:48nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:P-Channel 30V 11A (Ta), 24A (Tc) 2.8W (Ta) Surface Mount PQFN (3x3)
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione:MOSFET P-CH 30V 11A 3X3 PQFN
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:11A (Ta), 24A (Tc)
Email:[email protected]

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