IRFH5053TR2PBF
IRFH5053TR2PBF
Modello di prodotti:
IRFH5053TR2PBF
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET N-CH 100V 9.3A PQFN56
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
14802 Pieces
Scheda dati:
IRFH5053TR2PBF.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4.9V @ 100µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:PQFN (5x6) Single Die
Serie:HEXFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:18 mOhm @ 9.3A, 10V
Dissipazione di potenza (max):3.1W (Ta), 8.3W (Tc)
imballaggio:Original-Reel®
Contenitore / involucro:8-PowerVDFN
Altri nomi:IRFH5053TR2PBFDKR
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:IRFH5053TR2PBF
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1510pF @ 50V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:36nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 100V 9.3A (Ta), 46A (Tc) 3.1W (Ta), 8.3W (Tc) Surface Mount PQFN (5x6) Single Die
Tensione drain-source (Vdss):100V
Descrizione:MOSFET N-CH 100V 9.3A PQFN56
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:9.3A (Ta), 46A (Tc)
Email:[email protected]

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