IRFH5010TRPBF
IRFH5010TRPBF
Modello di prodotti:
IRFH5010TRPBF
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET N-CH 100V 13A 8-PQFN
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
13254 Pieces
Scheda dati:
IRFH5010TRPBF.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4V @ 150µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:PQFN (5x6)
Serie:HEXFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:9 mOhm @ 50A, 10V
Dissipazione di potenza (max):3.6W (Ta), 250W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-PowerVDFN
Altri nomi:IRFH5010TRPBF-ND
IRFH5010TRPBFTR
SP001560282
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:16 Weeks
codice articolo del costruttore:IRFH5010TRPBF
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:4340pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:98nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 100V 13A (Ta), 100A (Tc) 3.6W (Ta), 250W (Tc) Surface Mount PQFN (5x6)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):100V
Descrizione:MOSFET N-CH 100V 13A 8-PQFN
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:13A (Ta), 100A (Tc)
Email:[email protected]

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