IRFH5025TR2PBF
IRFH5025TR2PBF
Modello di prodotti:
IRFH5025TR2PBF
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET N-CH 250V 3.8A PQFN
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
13176 Pieces
Scheda dati:
IRFH5025TR2PBF.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:5V @ 150µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:8-QFN
Serie:HEXFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:100 mOhm @ 5.7A, 10V
Dissipazione di potenza (max):3.6W (Ta), 8.3W (Tc)
imballaggio:Original-Reel®
Contenitore / involucro:8-VQFN
Altri nomi:IRFH5025TR2PBFDKR
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:IRFH5025TR2PBF
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:2150pF @ 50V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:56nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 250V 3.8A (Ta) 3.6W (Ta), 8.3W (Tc) Surface Mount 8-QFN
Tensione drain-source (Vdss):250V
Descrizione:MOSFET N-CH 250V 3.8A PQFN
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:3.8A (Ta)
Email:[email protected]

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