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IRFH5020TR2PBF
- Modello di prodotti:
- IRFH5020TR2PBF
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 200V 5.1A 8VQFN
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 19657 Pieces
- Scheda dati:
- IRFH5020TR2PBF.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 5V @ 150µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | PQFN (5x6) Single Die |
| Serie: | HEXFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 55 mOhm @ 7.5A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 3.6W (Ta), 8.3W (Tc) |
| imballaggio: | Original-Reel® |
| Contenitore / involucro: | 8-VQFN |
| Altri nomi: | IRFH5020TR2PBFDKR |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | IRFH5020TR2PBF |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 2290pF @ 100V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 54nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 200V 5.1A (Ta) 3.6W (Ta), 8.3W (Tc) Surface Mount PQFN (5x6) Single Die |
| Tensione drain-source (Vdss): | 200V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 200V 5.1A 8VQFN |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 5.1A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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