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IRF6608
- Modello di prodotti:
- IRF6608
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 12853 Pieces
- Scheda dati:
- IRF6608.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per IRF6608, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per IRF6608 via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 3V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | DIRECTFET™ ST |
| Serie: | HEXFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 9 mOhm @ 13A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 2.1W (Ta), 42W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | DirectFET™ Isometric ST |
| Altri nomi: | IRF6608TR SP001524584 |
| temperatura di esercizio: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 3 (168 Hours) |
| codice articolo del costruttore: | IRF6608 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 2120pF @ 15V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 24nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 30V 13A (Ta), 55A (Tc) 2.1W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ ST |
| Tensione drain-source (Vdss): | 30V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 13A (Ta), 55A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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