IRF6633TR1
IRF6633TR1
Modello di prodotti:
IRF6633TR1
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET-MP
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Contiene piombo / RoHS non conforme
quantità disponibile:
18250 Pieces
Scheda dati:
IRF6633TR1.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2.2V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:DIRECTFET™ MP
Serie:HEXFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:5.6 mOhm @ 16A, 10V
Dissipazione di potenza (max):2.3W (Ta), 42W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:DirectFET™ Isometric MP
temperatura di esercizio:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):3 (168 Hours)
codice articolo del costruttore:IRF6633TR1
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1250pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:17nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 20V 16A (Ta), 59A (Tc) 2.3W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MP
Tensione drain-source (Vdss):20V
Descrizione:MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET-MP
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:16A (Ta), 59A (Tc)
Email:[email protected]

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